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热缩管屏蔽层的电气特性
一般热缩管生产过程中,半导电屏蔽层电阻率的选择是基于理论和运行温度、加工过程等因素的,一般取电阻率ρν=10的4次方 Ω cm,这是因为屏蔽层电阻率ρν值的大小对电缆tanδ的影响很大。关于这一点,我们可根据等值电路来分析电阻率ρν对电缆tanδ的影响。在外施电压U作用下,电缆对地电容电流为l,由此可知绝缘和屏蔽层上电压比。
实际上,上述等值电路没有考虑屏蔽层的电容效应。如果屏蔽层电阻率较大,就应考虑并联电容的电容值,故此就会出现屏蔽层介质损耗影响整个测量介质损耗,使测量介质损耗增加。下而对屏蔽层电阻率ρν与电缆介质损耗tanδ之间的关系作理论上推算。
根据资料报道,理论计算和实测曲线形状完全一样,只是要幅值上略有差别。这种差别主要来源于等值电路对原电缆结构上的忽略。从图中可知,随着屏蔽电阻率升高,电缆介质损耗tanδ增加,在ρν=10的9次方左右出现极大值,而当屏蔽电阻率≤10³ Ω cm时,电缆损耗tanδ几乎不再下降,而趋于X LPE介质损耗,即可认为此时已不存在屏蔽层附加损耗。
当加压运行时,从电压分配和电容分压角度看,在半导电屏蔽层上,也应承受电压,但由于ε绝<ε半,所以U, n U2,屏蔽层上分配的压降很小,当电缆尺寸一定时,U1/ U2 ∞ ε2/ ε1。同时通过对具有半导电屏蔽电缆的长期工频、短期工频和冲击电压破坏特性的研究,发现半导电屏蔽层有明显减小交流长期破坏的作用,这种作用在于长期交流防止了电晕的发生。
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